包括ASE（Advanced Semiconductor Engineering），Altera，ADI(Analog Devices)，LSI，安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目，該消息是由美國半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟（Sematech）于日前所公布。
去年Sematech宣布建成了首個(gè)300mm規(guī)格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線，該產(chǎn)線建在紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心（CNSE）內(nèi)，而Sematech的3DIC芯片堆疊技術(shù)研究則是以該研究中心為核心展開的。在此之前，除了CNSE之外，已經(jīng)有Global Foundries，惠普，Hynix，IBM，Intel，三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個(gè)研究項(xiàng)目。
2010年12月份，Sematech聯(lián)合半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)以及半導(dǎo)體研究協(xié)會(huì)(SRC)一起啟動(dòng)了一項(xiàng)新的3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目，該項(xiàng)目成立的目的是促進(jìn)3DIC技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和對(duì)異構(gòu)型3DIC整合技術(shù)進(jìn)行研究。項(xiàng)目的首要目標(biāo)是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測技術(shù)，芯片鍵合技術(shù)，微凸焊點(diǎn)（microbumping）等有關(guān)的技術(shù)和規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。
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